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          基于MCS-51單片機的三個存儲空間及劃分解析

          ? 2018年09月19日 16:09 ? 次閱讀

          1.前言

          MCS-51的存儲器有片內RAM、片外RAM 和 ROM 三個空間。

          MCS-51單片機在物理結構上有四個存儲空間

          基于MCS-51單片機的三個存儲空間及劃分解析

          1、片內程序存儲器(片內ROM)

          2、片外程序存儲器(片外ROM)

          3、片內數據存儲器(片內RAM)

          4、片外數據存儲器(片外RAM)

          在邏輯上(即從用戶的角度上)MCS-51單片機有三個存儲空間

          1、片內外統一編址的64K的程序存儲器(ROM)地址空間(MOVC)

          2、256B的片內數據存儲器(片內RAM)的地址空間(MOV)

          3、以及64K片外數據存儲器(片外RAM)的地址空間(MOVX)

          注:在訪問三個不同的邏輯空間時,應采用不同形式的指令以產生不同的存儲器空間的選通信號。

          2.存儲空間劃分

          2.1 片內RAM

          圖:片內AM地址空間劃分

          地址范圍是00H到7FH (52系列延伸到FFH),為8位地址,所以最大可尋址的范圍為256個單元地址

          ? 00H到1FH

          共32字節,分成四個工作寄存器區,每區有寄存器 R0~R7。對此區域,可以使用 R0~R7 來操作,代碼短捷,但是,只有一個當前工作區是可以這樣讀寫的。對此區域,也可以使用字節地址,來讀寫。

          ? 20H-2FH

          共16字節,是位尋址區,共有128個“位”,位地址:00~7FH。此區域,也可按照字節尋址,來讀寫。

          ? 30H-7FH

          沒有什么特色,只進行字節尋址。

          ? 80H-FFH

          共有128個地址號碼,其中離散的分布著21個特殊功能寄存器,必須直接尋址才能讀寫。(52系列,在此范圍,還有128字節的 RAM,必須間接尋址才能讀寫)。

          注:對上述空間讀寫,必須使用 MOV 指令。

          2.2 片外RAM

          片外RAM的地址范圍是0000H到FFFFH,容量即為64KB。對片外RAM讀寫,必須使用 MOVX 指令。

          對片外RAM采用間接尋址方式,R0、R1和DPTR都可以做為間接尋址寄存器,R0、R1是8位的寄存器,即R0、R1的尋址范圍最大為256個單元,而DPTR是16位地址指針,尋址范圍就可達到64KB。

          也就是說在尋址片外RAM時,尋址范圍超過了256B,就不能用R0、R1做為間接尋址寄存器,而必須用DPTR寄存器做為間接尋址寄存器。

          2.3 ROM

          ROM的地址范圍是0000H到FFFFH,容量即為64KB,地址長度16位,作用是 存放程序及程序運行時所需的常數。

          其中0000~0FFFH,即4K,在片內,其它在片外。

          EA = 1,尋址內部ROM;EA = 0,尋址外部ROM對ROM讀出,必須使用 MOVC 指令。

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          據WSTS預測,2018年世界半導體市場規模為4771.01億美元,較2017年的4122.2億美元...

          發表于 2018-09-05 17:24 ? 1225次閱讀
          2018/2019年世界半導體市場發展規模預測

          新型存儲器結合了SRAM的速度和Flash的優勢...

          多年來,該行業一直致力于各種存儲技術的研究,包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲器和Re...

          發表于 2018-09-05 15:51 ? 633次閱讀
          新型存儲器結合了SRAM的速度和Flash的優勢...

          中國存儲器產業發展需要跨過“融入市場”與 “自主...

          從全球申請人排名的情況來看,如圖3所示,DRAM存儲寡頭三星、海力士、美光具有接近萬件以上的專利申請...

          發表于 2018-09-05 10:44 ? 1886次閱讀
          中國存儲器產業發展需要跨過“融入市場”與 “自主...

          51單片機鍵盤掃描程序解析

          按鍵在松手后有效,靈敏度高,消耗資源少,運行效率高 獨立鍵盤為:K01=P2^4;K02=P2^5...

          發表于 2018-09-04 11:53 ? 148次閱讀
          51單片機鍵盤掃描程序解析

          今后集成電路補短板、增長板的發展策略

          全球第三大硅晶圓制造商環球晶圓股份有限公司(以下簡稱環球晶圓)在其近日發布的二季報中稱,此次硅晶圓市...

          發表于 2018-09-04 10:42 ? 1218次閱讀
          今后集成電路補短板、增長板的發展策略

          美光持續淡化NOR芯片布局,美光淡出NOR有利旺...

          賽普拉斯、美光先前位居全球前兩大NOR芯片廠,隨著各大廠專注技術層次更高的DRAM與NAND領域,淡...

          發表于 2018-09-04 09:24 ? 1008次閱讀
          美光持續淡化NOR芯片布局,美光淡出NOR有利旺...

          利用LIN—協議6進行Flash/EE存儲器編程...

          ADuC703x系列器件的一個主要特性是能夠將代碼在線下載至片內Flash/EE存儲器,這種在線代碼...

          發表于 2018-09-03 08:58 ? 1068次閱讀
          利用LIN—協議6進行Flash/EE存儲器編程...

          Atmega16單片機和51單片機有何區別?從軟...

          今天我們的主題是單片機,說道單片機你可能最先想到的是51單片機,然后通過外接的數字電路和模擬電路來控...

          發表于 2018-09-03 08:23 ? 370次閱讀
          Atmega16單片機和51單片機有何區別?從軟...

          2018年半導體資本支出的數據手冊存儲器IC占總...

          ICInsights預測,今年半導體資本支出總額將增至1020億美元,這是該行業在一年中首次在資本支...

          發表于 2018-09-01 10:33 ? 599次閱讀
          2018年半導體資本支出的數據手冊存儲器IC占總...

          2018全球上游存儲市場格局與前景分析

          存儲器是我們最常見的一種存儲產品之一,也是應用非常廣泛的一種半導體器件,存儲分為上游、中游、下游市場...

          發表于 2018-09-01 09:16 ? 437次閱讀
          2018全球上游存儲市場格局與前景分析

          中國集成電路與國外發展的三大差距

          三大查究具體來說,丁文武認為,一是中國每年集成電路進口額巨大。2017年進口集成電路達到2601.4...

          發表于 2018-08-31 15:35 ? 842次閱讀
          中國集成電路與國外發展的三大差距

          SN54LS298 具有存儲器的四路 2 輸入多...

          這些帶存儲的單片四路雙輸入多路復用器提供兩個獨立MSI功能的等效功能(SN54157 /SN74157或SN54LS157 /SN74LS157和SN54175 /SN74175)或單個16引腳封裝的SN54LS175 /SN74LS175)。 當字選輸入為低電平時,字1(A1,B1,C1,D1)適用于觸發器。字輸入的高輸入將導致選擇字2(A2,B2,C2,D2)。所選字在時鐘脈沖的下降沿輸出到輸出端。 對于'LS298',298和65毫瓦的典型功耗為195毫瓦。 SN54298和SN54LS298的特點是在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作; SN74298和SN74LS298的特點是工作溫度范圍為0°C至70°C。 特性 選擇兩個4位數據源中的一個并與系統時鐘同步存儲數據 應用程序: < li>算術處理器中操作數和常量的雙源;可以釋放處理器寄存器文件以獲取新數據 實現能夠并行交換內容但保留外部負載能力的單獨寄存器 用于實現各種移位模式的通用類型寄存器;甚至具有復合左右能力 參數 與其它產品相比?解碼器/編碼器/多路復用器 ? Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (M...

          發表于 2018-08-30 10:59 ? 0次閱讀
          SN54LS298 具有存儲器的四路 2 輸入多...

          存儲器的金字塔結構

          如圖,當程序調用各類文件操作函數后,用戶數據(User Data)到達磁盤(Disk)的流程如圖所示...

          發表于 2018-08-30 08:16 ? 411次閱讀
          存儲器的金字塔結構

          行業快訊:澳大利亞禁止華為5G、聯通開啟5G規模...

          據路透社北京時間8月23日報道,澳大利亞政府在周四以安全擔憂為由,禁止華為公司為其規劃中的5G移動網...

          發表于 2018-08-29 15:55 ? 646次閱讀
          行業快訊:澳大利亞禁止華為5G、聯通開啟5G規模...

          行業快訊:澳大利亞禁止華為5G、聯通開啟5G規模...

          據路透社北京時間8月23日報道,澳大利亞政府在周四以安全擔憂為由,禁止華為公司為其規劃中的5G移動網...

          發表于 2018-08-29 15:55 ? 537次閱讀
          行業快訊:澳大利亞禁止華為5G、聯通開啟5G規模...

          光鮮成績背后,英特爾發展的奠基人

          鮮為人知的是,這些光鮮成績背后,離不開一位華人的付出——他就是英特爾前資深副總裁虞有澄。

          發表于 2018-08-29 14:39 ? 703次閱讀
          光鮮成績背后,英特爾發展的奠基人

          全球存儲器產業鏈布局深度分析

          磁盤,是指利用磁能方式存儲信息,存儲過程中需要磁性盤片的機械運動,日常生活中非常常見的電腦硬盤、移動...

          發表于 2018-08-29 10:34 ? 800次閱讀
          全球存儲器產業鏈布局深度分析

          TMS320F28335最小應用系統設計電路

          一個最小應用系統包括:復位電路,時鐘電路、電源及存儲器等。對于TMS320F28335,其具有片上F...

          發表于 2018-08-29 08:30 ? 99次閱讀
          TMS320F28335最小應用系統設計電路

          基于AT89S51液晶顯示系統的設計步驟介紹

          本系統中,主控芯片選用Atmel 公司生產的AT89S51.該芯片具有4k 字節可編程FLASH 存...

          發表于 2018-08-29 00:50 ? 293次閱讀
          基于AT89S51液晶顯示系統的設計步驟介紹

          柔性磁性薄膜與器件的發展將面臨哪些挑戰?

          近年來,隨著物聯網、可穿戴智能設備、非平面物件無損檢測等領域的快速發展,柔性電子器件開始受到科研人員...

          發表于 2018-08-28 16:36 ? 706次閱讀
          柔性磁性薄膜與器件的發展將面臨哪些挑戰?

          以51單片機為核心的斷相與相序保護數字控制系統設...

          三相交流電動機電源控制回路如圖2—1所示。按下QA按鈕,若電源A、B、C三相正常時,電動機就能正常起...

          發表于 2018-08-28 16:26 ? 143次閱讀
          以51單片機為核心的斷相與相序保護數字控制系統設...

          明年下半年DRAM價格有下修壓力,產值低于今年的...

          DRAM漲勢不斷,后遺癥逐步顯現,通路商表示,因存儲器漲幅過大,下游應用端,尤其是筆電和部分智能手機...

          發表于 2018-08-28 16:22 ? 247次閱讀
          明年下半年DRAM價格有下修壓力,產值低于今年的...

          SN74BCT2414 具有片上電源監控器的雙路...

          The SN74BCT2414 is a decoder specially designed to be used in memory systems with battery backup during power failure. The two independent 2-line to 4-line decoders with separate and common control inputs may be externally cascaded to implement a 3-line to 8-line decoder. The circuit has two supply voltage inputs: the voltage monitor (bandgap) is powered via the VCC terminal; the internal logic of the circuit is powered via the Vbat terminal. In case VCC drops below 3.65 V (nominal), the voltage monitor forces the voltage-control (VS) and decoder outputs (Y) to the high level. VS may be used to disconnect the supply voltage of the memories (Vbat) from the system supply. This output is switched off when the on-chip supply voltage monitor detects a power failure. The SN74BCT2414 is characterized for operation from 0°C to 70°C. 特性 BiCMOS設計大幅降低待機電流 兩個獨立的2線到4線解碼器或一個3線到8線解碼器 用于簡易級聯的獨立使能輸入 兩個電...

          發表于 2018-08-28 11:28 ? 0次閱讀
          SN74BCT2414 具有片上電源監控器的雙路...

          學習FPGA最難的地方是什么?

          只有在腦海中建立了一個個邏輯模型,理解FPGA內部邏輯結構實現的基礎,才能明白為什么寫Verilog...

          發表于 2018-08-28 07:45 ? 514次閱讀
          學習FPGA最難的地方是什么?

          一文帶你了解那些時光里的科技

          1996年,約翰?迪爾(John Deere)推出了這款“綠雞蛋和火腿”式的GPS接收器,以加快進入...

          發表于 2018-08-27 13:59 ? 766次閱讀
          一文帶你了解那些時光里的科技

          SN74LS399 具有存儲器的四路 2 輸入多...

          這款帶有存儲器的單片四路雙輸入多路復用器提供了兩個獨立的MSI功能(SN54LS157 /SN74LS157和SN54LS175 /SN74LS175)的等效功能16引腳封裝。 當字選輸入為低電平時,字1(A1,B1,C1,D1)應用于觸發器。字輸入的高輸入將導致選擇字2(A2,B2,C2,D2)。所選字在時鐘脈沖的正向邊沿輸出到輸出端。 典型功耗為37毫瓦。 SN54LS399的特點是可在-55°C至125°C的整個軍事范圍內工作。 SN74LS399的特點是工作溫度范圍為0°C至70°C。 特性 'LS399 上的單軌輸出選擇兩個4位數據源中的一個并與系統同步存儲數據時鐘 應用程序: 算術處理器中操作數和常量的雙源;可以釋放處理器寄存器文件以獲取新數據 實現能夠并行交換內容但保留外部負載能力的單獨寄存器 用于實現各種移位模式的通用類型寄存器:甚至還有復合左 - 權利能力 參數 與其它產品相比?編碼器和解碼器 ? Function Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) tpd @ Nom Voltage (M...

          發表于 2018-08-23 16:16 ? 0次閱讀
          SN74LS399 具有存儲器的四路 2 輸入多...
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