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          單芯片電源管理和端口控制器解決方案

          Duke ? 2018-09-21 09:41 ? 次閱讀

          以太網供電 (PoE) 的主要優勢體現在它的簡易性上。但在 IEEE 802.3 以太網標準中引入對 (PoE+) 的“at”修訂后,與原始規范中的 15 瓦相比,可供用電設備 (PD) 使用的功率增加到了 30 瓦 (W)。對于采用多個端口的系統而言,提高 PoE+ 容量要求使用更大的電源才能滿足需求。而且,系統往往包含多個電源以實現冗余,這些都可能有悖于 PoE 的簡易性。

          在典型的多端口 PoE+ 實現中,并非所有用電設備都需要最大功率,因此允許使用小一些的電源。然而,要想在可能包含數十個用電設備的系統中管理來自多個電源的不同功率水平,這一設計挑戰依然令人望而生畏。

          可行的解決方案是讓電源系統基于專門的電源管理芯片。此類芯片通過端口控制器,管理從主電源和備用電源提供給多個具有不同功率要求的用電設備的功率。

          本文首先介紹 PoE 和 PoE+ 的基礎知識,然后介紹單芯片電源管理和端口控制器解決方案,并展示這些解決方案如何簡化多端口 PoE+ 系統的設計。

          PoE 和 PoE+ 基礎知識

          PoE 的簡易性體現在,在一根 CAT 5 電纜上結合了供電和通信功能。與使用單獨的電源和數據網絡相比,工程師可利用此功能快速、低成本地設計和構建維護要求較低的網絡。

          PoE 在世紀之交取得了迅猛的發展,互聯網語音協議電話 (VoIP) 開始利用基于以太網的專有技術,允許在同一網絡上同時傳輸數據和電力。

          2003 年 6 月,IEEE 將 PoE 規范采納為現有 IEEE 802.3 以太網標準的修訂 (“af”),對此概念進行了標準化。2009 年采用了第二項修訂“at”,能夠讓 PoE 安全地處理更高功率。

          IEEE 802.3af 可以向網絡中的每個用電設備提供高達 15.4 瓦和 44 至 57 伏的直流電(在連接點提供 12.95 瓦的保證功率)。根據電源要求,可將用電設備定義為 1 類、2 類或 3 類。該技術使用單個標準 RJ45 連接器和一根 CAT 5(如果電源要求較低則為 CAT 3)電纜。

          該標準的“B 方案”在 CAT 5 電纜四對電線中兩對未用于傳輸以太網數據的電線上傳輸電力。“A 方案”則在電纜的數據導線上施加共模電壓,為連接的設備供電。由于以太網使用差分信號傳輸數據,因此施加的電壓不會影響功能。

          IEEE 802.3at 可以向 4 類用電設備提供高達 30 瓦(到用電設備為 25.5 瓦)和 50 到 57 伏的直流電。與早期技術的 350 毫安 (mA) 相比,PoE+ 的最大電流為 600 毫安 (mA)。PoE+ 僅使用 CAT 5 電纜,降低了阻抗和功率損耗。

          IEEE 802.3at 修訂版向后兼容 IEEE 802.3af,而最新的 IEEE802.3-2012 標準則合并了 802.3at 規范。

          除功率等級之外,PoE 元件可劃分為兩個類型:

          • 1 型兼容 IEEE 802.3af 規范。

          • 2 型兼容 IEEE 802.3af 和 802.3at 規范。

          最新版的標準禁止在 CAT 5 電纜的所有四對雙絞線上傳輸電力。不過,所謂“4 對 PoE”的提議也已取得進展,最早可能于今年(2018 年)加入到標準中。4 對 PoE 引入了 5 類、6 類、7 類和 8 類用電設備,可提供高達 90 瓦(到用電設備為 71 瓦)和 960 mA 的電力。

          PoE 系統的要素

          IEEE 802.3af 定義了兩種類型的 PoE 設備:用電設備 (PD) 和供電設備 (PSE)。PSE 從傳統電源吸收功率,然后管理在以太網上分配的電力。反過來,PD 通過 RJ45 連接器獲得供電,因而無需使用內置電源。PoE 能夠在運行長度達數十米 (m) 的典型以太網電纜上為用電設備供電。

          PoE 標準規定了 PSE 與 PD 之間的信號傳送。此信號傳送可讓 PSE 檢測到符合規范的設備,避免對連接到網絡的非 PoE 設備造成可能的損害。導線間施加了 2.8 到 10 伏的直流電壓,連接的用電設備提供 19 到 27 千歐 (kΩ) 的阻性負載,并使用不超過 120 毫微法 (nF) 的并聯電容器作為“簽名”。檢測到 PSE 后,PSE 將與 PD 協商,確定所需的功率。

          PSE 以端點或中跨方式獲得供電。端點(或 PoE 交換機)是采用 PoE/PoE+ 傳輸電路的以太網交換機。中跨是位于常規以太網交換機與用電設備之間的 PoE“供電器”,目的是在不影響現有網絡信號完整性的情況下增加功率。

          端點通常用于新安裝的設備,或在較舊的網絡完全升級至 PoE+ 時使用。在需要保留現有的以太網交換機以降低成本和簡化安裝的情況下,可采用中跨進行 PoE+ 網絡升級(圖 1)。中跨供電器的示例如 Microsemi Corporation 符合 IEEE 802.3at 規范的 PD 9001。

          中跨 PoE 安裝示意圖

          圖 1:在將現有的以太網升級至 PoE 時通常使用中跨 PoE 安裝,因為這樣可以保留已安裝的電纜并降低成本。(圖片來源:Microsemi Corp.)

          端點和中跨實現還有一點更重要的區別;規范僅允許在 B 方案的實現(即在電纜中的非數據傳輸對上傳輸電力時)中使用中跨(圖 2)。

          PoE/PoE+ B 方案示意圖

          圖 2(a):PoE/PoE+ B 方案要求在 CAT 5 以太網電纜的備用線對(非信號)上傳輸電力。中跨 PoE 實現只能使用此配置。(圖片來源:Silicon Labs

          PoE/PoE+ A 方案示意圖

          圖 2(b):PoE/PoE+ A 方案要求在 CAT 5 以太網電纜的信號線對上傳輸電力。端點 PoE 實現可使用 A 方案和 B 方案配置。(圖片來源:Silicon Labs)

          早期的 PSE 采用分立電路,并劃分為電源與以太網絡之間的通信接口。為簡化 PoE 系統設計,有廠家后來引入了集成的 PSE 控制器,將 PoE+ 接口電路與電源結合起來。最近,系統設計得到了進一步簡化,增加了 PSE 控制器的功能,如此便可通過集成一個微控制器實現多端口的本地監控。

          實用 PoE 電源管理 IC 解決方案

          Silicon Labs 的 Si3459 PoE PSE 端口控制器是一個單芯片解決方案實例。該芯片設計為在 PSE 端點中使用,并且集成了八個獨立端口,每個都帶有用電設備檢測和分類功能。此外,Si3459 還可實現使用直流檢測算法的用電設備斷連、軟件可配置每端口電流和電壓監視以及可編程限流功能。盡管芯片集成了一個 8051 微控制器,但還需要一個主機處理器才能實現完全控制。此處理器通過一個三線 I2C 兼容型串行接口與 Si3459 通信。通過在 PoE 系統中使用 Si3459,設計人員可以大幅減少設計的元件數和復雜度。

          Silicon Labs 提供了適合基于 Si3459 的設計的評估套件 Si3459-KIT。在正常工作期間,Si3459 由主機處理器通過芯片的 I2C 接口進行控制,套件中包含圖形用戶界面 (GUI),因而可以更輕松地顯示和控制 Si3459 的 I2C 寄存器。評估套件需要使用 PC,通過提供的 GUI 來控制評估板。套件包含兩個支持 16 端口演示系統的 Si3459 控制器。每個端口可提供 30 瓦的功率。

          在計算 PoE 系統的功率要求時,需要考慮電纜損耗,這一點很重要。在 1 型配置中,該規格允許的 PSE 與 PD 之間的最大電纜電阻為 20 Ω (Rmax)(圖 3)。此外,標準中還規定了 PSE 最大輸出電流 (IPSE_out_max)、PSE 最小輸出電壓 (VPSE_out_min) 和 PSE 輸出功率 (PPSE_out)。此配置會造成約 2.5 瓦的電纜損耗,以及 PD 處出現相應的功率和電壓下降。

          1 型配置示意圖,20 Ω 電纜電阻導致 2.45 瓦的功率損耗

          圖 3:在這個 1 型配置中,20 Ω 電纜電阻導致電纜上出現 2.45 瓦的功率損耗。因此,傳輸到用電設備的功率降至 12.95 瓦,電壓則降至 37 伏。(圖片來源:Silicon Labs)

          類別PSE Pout 最大值 [W]Rcable 最大值 [Ω]PSE Vout 最小值 [V]PSE Iout 最大值 [mA]最大電纜損耗 [W]PD Pinmax [W]015.402044350.002.4512.9513.84204487.270.153.6926.492044147.500.446.05315.402044350.002.4512.95430.0012.550600.004.5025.50

          表 1:PoE 0 類、1 類、2 類和 3 類(1 型)以及 4 類(2 型)電纜的功率損耗。(圖片來源:Silicon Labs)

          配置多端口 PoE 安裝

          POE+ 的采納增強了該技術的實用性,因為它的功率傳輸更高,允許開發人員連接高耗電的設備,例如帶有平移、傾斜和縮放功能的安防攝像機。不過,包含數十個用電設備的大型系統需要大型電源,并且設計非常復雜。例如,考慮一個包含 50 個用電設備的系統,且所有設備均吸收可供 2 型系統使用的最大功率;這時電源需要提供 1.5 千瓦(50 x 30 瓦)功率。而且,大型商用 PoE+ 系統往往包含備用電源,以應對主設備故障。

          但在典型的大規模 PoE+ 安裝中,許多用電設備并不要求系統能夠提供最大功率。例如,Wi-Fi 路由器、VoIP 電話和 LED 燈等設備需要的功率小于 10 瓦。盡管這會降低電源的總體需求,但它增加了配置系統電源管理的難度。

          芯片供應商通過提供電源管理控制器,減輕了設計人員的 PoE+ 電源管理負擔。這些集成的設備(例如 Silicon Labs 的 Si3484)將會監控多端口 PoE+ 實現的所有功率要求。

          Si3484 作為電源管理器,旨在監控多達 64 個端口(由三個成組電源供電),從而實現單一系統電源。盡管 Si3484 能夠向所有 64 個端口提供 30 W 功率,但它的主要設計用途是對混合了 0 類、1 類、2 類和 3 類設備以及在 2 型安裝中使用 4 類設備的系統進行配置。

          設計人員可通過芯片的 SPI 或 UART 接口配置 Si3484 電源管理控制器,以設置系統的電源容量、端口功率配置(1 型或 2 型)、端口優先級、檢測定時(在方案 A 與方案 B 之間略有不同),以及故障恢復協議。完成設定后,Si3484 無需主機處理器介入便可工作。可提供并連續更新端口和總體狀態信息。

          Si3484 設計成與上述 Si3459 PoE PSE 端口控制器配合使用。該電源管理控制器使用 Si3459 的實時過載和電流監控功能來管理在 64 個端口之間共享的電源(圖 4)。

          Silicon Labs 的 Si3484 電源管理控制器示意圖

          圖 4:Silicon Labs 的 Si3484 電源管理控制器可與該公司的 Si3459 端口控制器配合使用,用于控制多個電源并配置多個 0 類、1 類、2 類、3 類和 4 類端口的輸出。(圖片來源:Silicon Labs)

          PoE 電源管理

          單個 Si3484 電源管理控制器可支持多達 8 個 Si3459 端口控制器(每個包含 8 個端口),從而構建出一個包含 64 個端口的安裝。端口控制器負責低級端口功能,如用電設備的檢測和分類,而電源管理控制器則監控所有端口之間的功率分配。

          開發人員可以為每個端口配置可選的功率限制,以限制電源管理器提供給特定設備的最大功率。如果用電設備的功率要求大于分配給端口的限制,則該請求將被拒絕,以避免系統過載。

          將更多的用電設備連接到備用端口后,電源管理控制器會根據用電設備的分類確定可能的功率要求。如果有足夠的開銷,則進行供電,否則拒絕該請求。Si3484 也可以在連接過程中動態調整授予用電設備的功率。在發生端口過載時,電源管理控制器會關閉該端口。

          Si3484 芯片使用基于授權或用量的策略,并考慮電纜損耗,將功率分配給每個端口。按照基于授權的策略,端口不論使用與否,都被分配設定的功率。新用電設備的功率將從剩余的功率開銷中分配。此方法的優勢在于,如果用電設備的功耗在工作期間增大,則可以增加供電 – 前提是沒有超過原始授權。不足之處在于效率低下,因為新的用電設備無法接入現有授權的未使用分配量(圖 5a)。

          Silicon Labs Si3484 實現了基于授權的電源管理策略示意圖

          圖 5a:Si3484 可實現基于授權的電源管理策略,其中的用電設備不論使用與否,都會被分配了預設的功率。這種策略以系統效率為代價,實現了靈活的用電設備功耗。(圖片來源:Silicon Labs)

          基于用量的策略更加高效,但如果用電設備的用量超過了原始分配量,則可能導致端口過載。為避免重復發生系統過載,開發人員可以指定禁止功率保留,在現有用電設備功耗升至超過原始分配量時服務現有用電設備,而不是將其分配給新設備。

          開發人員還可以配置 Si3484 在短時間內提供功率過載。這種過載通常在現代電源的能力范圍以內,前提條件是不會持續過長時間(圖 5b)。

          基于用量的電源管理策略示意圖

          圖 5b:基于用量的電源管理策略更加高效,并可實現功率分配的保留和過載。(圖片來源:Silicon Labs)

          在工作期間,如果系統過載小于過載限制,則電源管理控制器會按照優先級順序關閉端口,直至系統不再受到壓力。如果系統已嚴重過載(如果三個電源中的一個離線,可能會發生這種情況),Si3484 將會關閉所有低優先級端口,然后按照優先級順序逐一關閉更多端口,直至系統恢復安全狀態。

          總結

          PoE 和 PoE+ 使得以太網絡不但可以傳輸數據,而且還能傳輸電力。在標準中增加 IEEE 802.3at 修訂后,擴充了這種技術的適用范圍,能夠接受諸如移動安防攝像機之類更高功耗的設備。

          不過,大型系統中如果有多個高功率端口,則需要使用大型電源和細致的電源管理,以避免系統過載和損壞。電源管理控制器簡化了設計,允許開發人員配置多端口 PoE 系統,從而精確、高效地滿足應用的需求。

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          UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

          UCC27211A器件驅動器基于廣受歡迎的UCC27201 MOSFET驅動器;但該器件相比之下具有顯著的性能提升。 峰值輸出上拉和下拉電流已經被提高至4A拉電流和4A灌電流,并且上拉和下拉電阻已經被減小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效應平臺轉換期間用盡可能小的開關損耗來驅動大功率MOSFET。輸入結構能夠直接處理-10 VDC,這提高了穩健耐用性,并且無需使用整流二極管即可實現與柵極驅動變壓器的直接對接。此輸入與電源電壓無關,并且具有20V的最大額定值。&gt; UCC27211A的開關節點(HS引腳)最高可處理-18V電壓,從而保護高側通道不受寄生電感和雜散電容所固有的負電壓影響.UCC27210A(a CMOS輸入)和UCC27211A(TTL輸入)已經增加了落后特性,從而使得用于模擬或數字脈寬調制(PWM)控制器的接口具有增強的抗擾度。 低端和高端柵極驅動器是獨立控制的,并且在彼此的接通和關斷之間實現了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一個額定電壓為120V的自舉二極管,因此無需采用外部分立式二極管。高側和低側驅動器均配有欠壓鎖定功能,可提供對稱的導通和關斷行為,并且能夠在驅動電壓低于指定閾值時將輸出強制為低電平...

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          UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

          UCC27518A-Q1 4A/4A 單通道高速低側柵極驅動器

          UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1單通道高速低側柵極驅動器件有效地驅動金屬氧化物半導體場效應應晶體管(MOSFET)和絕緣柵UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能夠灌,拉高峰值電流脈沖進入到電容負載,此電容負載提供了軌到軌驅動的雙極型晶體管(IGBT)開關。借助于固有的大大減少擊穿電流的設計能力以及極小傳播延遲(典型值為17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V時提供4A拉電流和4A灌電流(對稱驅動)峰值驅動電流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的寬VDD范圍以及-40°C到140°C的寬溫度范圍內運行.VDD引腳上的內部欠壓閉鎖(UVLO)電路保持VDD運行范圍之外的輸出低電平。能夠運行在諸如低于5V的低電壓電平上,連同同類產品中最佳的開關特性,使得此器件非常適合于驅動諸如GaN功率半導體器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供(只用于預覽)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的輸入引腳閥值基于CMOS邏輯電路,此邏輯電路的閥值電壓是VDD電源電壓的函數。通常情況下,輸入高閥值(V IN-H )是V DD 的55%,而輸入低閥值(V IN-L...

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          UCC27518A-Q1 4A/4A 單通道高速低側柵極驅動器

          UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升壓、4A 峰值電流的高頻高側/低側驅動器

          UCC27211A-Q1器件驅動器基于廣受歡迎的UCC27201 MOSFET驅動器;但該器件相比之下具有顯著的性能提升。 < p>峰值輸出上拉和下拉電流已經被提高至4A拉電流和4A灌電流,并且上拉和下拉電阻已經被減小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效應平臺轉換期間用盡可能小的開關損耗來驅動大功率MOSFET。輸入結構能夠直接處理-10 VDC,這提高了穩健耐用性,并且無需使用整流二極管即可實現與柵極驅動變壓器的直接對接。此輸入與電源電壓無關,并且具有20V的最大額定值。 UCC27211A-Q1的開關節點(HS引腳)最高可處理-18V電壓,從而保護高側通道不受寄生電感和雜散電容所固有的負電壓影響.UCC27211A-Q1已經增加了落后特性,從而使得用于模擬或數字脈寬調制(PWM)控制器的接口具有增強的抗擾度。 低端和高端柵極驅動器獨立控制的,并在彼此的接通和關斷之間實現了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一個額定電壓為120V的自舉二極管,因此無需采用外部分立式二極管。高側和低側驅動器均配有欠壓鎖定功能,可提供對稱的導通和關斷行為,并且能夠在驅動電壓低于指定閾值時將輸出強制為低電平。 UCC27211A-Q1器件采用8引腳SO-...

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          UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升壓、4A 峰值電流的高頻高側/低側驅動器

          TPS51604-Q1 用于高頻 CPU 內核功率應用的同步降壓·FET 驅動器

          TPS51604-Q1驅動器針對高頻CPU V CORE 應用進行了優化。具有精簡死區時間驅動和自動零交叉等高級特性,可用于在整個負載范圍內優化效率。 SKIP 引腳提供立即CCM操作以支持輸出電壓的受控制理。此外,TPS51604-Q1還支持兩種低功耗模式。借助于三態PWM輸入,靜態電流可減少至130μA,并支持立即響應。當跳過保持在三態時,電流可減少至8μA。此驅動器與適當的德州儀器(TI)控制器配對使用,能夠成為出色的高性能電源系統。 TPS51604-Q1器件采用節省空間的耐熱增強型8引腳2mm x 2mm WSON封裝,工作溫度范圍為-40°C至125°C。 特性 符合汽車應用要求 具有符合AEC-Q100的下列結果: 器件溫度等級1:-40°C至125°C 器件人體模型靜電放電(ESD)分類等級H2 器件的充電器件模型ESD分類等級C3B 針對已優化連續傳導模式(CCM)的精簡死區時間驅動電路 針對已優化斷續傳導模式(DCM)效率的自動零交叉檢測 針對已優化輕負載效率的多個低功耗模式 為了實現高效運行的經優化信號路徑延遲 針對超級本(超極)FET的集成BST開關驅動強度 針對5V FET驅動而進行了優化 轉換輸入電壓范圍(V...

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          TPS51604-Q1 用于高頻 CPU 內核功率應用的同步降壓·FET 驅動器

          UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 單門驅動器

          UCC27532-Q1是一款單通道高速柵極驅動器,此驅動器可借助于高達2.5A的源電流和5A的灌電流(非對稱驅動)峰值電流來有效驅動金屬氧化物半導體場效應應晶體管(MOSFET)和IGBT電源開關。非對稱驅動中的強勁灌電流能力提升了抗寄生米勒接通效應的能力.UCC27532-Q1器件還特有一個分離輸出配置,在此配置中柵極驅動電流從OUTH引腳拉出并從OUTL引腳被灌入。這個引腳安排使得用戶能夠分別在OUTH和OUTL引腳采用獨立的接通和關閉電阻器,并且能很輕易地控制開關的轉換率。 此驅動器具有軌到軌驅動功能以及17ns(典型值)的極小傳播延遲。 UCC27532-Q1器件具有CMOS輸入閥值,此閥值在VDD低于或等于18V時介于比VDD高55%的電壓值與比VDD低45%的電壓值范圍內。當VDD高于18V時,輸入閥值保持在其最大水平上。 此驅動器具有一個EN引腳,此引腳有一個固定的TTL兼容閥值.EN被內部上拉;將EN下拉為低電平禁用驅動器,而將其保持打開可提供正常運行。EN引腳可被用作一個額外輸入,其性能與IN引腳一樣。 將驅動器的輸入引腳保持開狀態將把輸出保持為低電平。此驅動器的邏輯運行方式顯示在,,和中。 VDD引腳...

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          UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 單門驅動器

          UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

          UCC27516和UCC27517單通道高速低側柵極驅動器器件可有效驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)電源開關.UCC27516和UCC27517采用的設計方案可最大程度減少擊穿電流,從而為電容負載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖,同時提供軌到軌驅動能力以及超短的傳播延遲(當前VDD = 12V時,UCC27516和UCC27517可提供峰值為4A的灌/拉(對稱驅動)電流驅動能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的寬VDD范圍,以及-40°C至140°C的寬溫度范圍.VDD引腳上的內部欠壓閉鎖(UVLO)電路可以超出VDD運行范圍時使輸出保持低電平。此器件能夠在低電壓(例如低于5V)下運行,并且擁有同類產品中較好的開關特性,因此非常適用于驅動諸如GaN功率半導體器件等新上市的寬帶隙電源開關器件。 UCC27516和UCC27517特有雙輸入設計,同一器件可靈活實現反相(IN-引腳)和非反相(IN +引腳)配置.IN +引腳和IN-引腳中的任何一個都可用于控制此驅動器輸出的狀態。未使用的輸入引腳可被用于啟用和禁用功能。出于安全考慮,輸入引腳上的內部上拉和下拉電阻器在輸入引腳處于懸空狀態時,確保...

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          UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

          UCC27324-Q1 汽車類雙 4A 峰值高速低側電源 MOSFET 驅動器

          UCC27324-Q1高速雙MOSFET驅動器可為容性負載提供大峰值電流。采用本質上最小化直通電流的設計,這些驅動器在MOSFET開關轉換期間在Miller平臺區域提供最需要的4A電流。獨特的雙極和MOSFET混合輸出級并聯,可在低電源電壓下實現高效的電流源和灌電流。 該器件采用標準SOIC-8(D)封裝。 特性 符合汽車應用要求 行業標準引腳 高電流驅動能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低電源電壓下也能實現高效恒流源 TTL和CMOS兼容輸入獨立于電源電壓 典型上升時間為20 ns,典型下降時間為15 ns,負載為1.8 nF 典型傳播延遲時間為25 ns,輸入下降,輸入時間為35 ns上升 電源電壓為4 V至15 V 供電電流為0.3 mA 雙輸出可以并聯以獲得更高的驅動電流 額定值從T J = -40°C至125°C TrueDrive輸出架構使用并聯雙極晶體管和CMOS晶體管 參數 與其它產品相比?低側驅動器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...

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          UCC27324-Q1 汽車類雙 4A 峰值高速低側電源 MOSFET 驅動器

          LM5100C 1A 高電壓高側和低側閘極驅動器

          LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高壓柵極驅動器設計用于驅動高側和低側N. - 同步降壓或半橋配置的通道MOSFET。浮動高側驅動器能夠在高達100 V的電源電壓下工作.A版本提供完整的3-A柵極驅動,而B和C版本分別提供2 A和1 A.輸出由CMOS輸入閾值(LM5100A /B /C)或TTL輸入閾值(LM5101A /B /C)獨立控制。 提供集成高壓二極管為高端柵極充電驅動自舉電容。穩健的電平轉換器以高速運行,同時消耗低功率并提供從控制邏輯到高端柵極驅動器的干凈電平轉換。低側和高側電源軌均提供欠壓鎖定。這些器件采用標準SOIC-8引腳,SO PowerPAD-8引腳和WSON-10引腳封裝。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封裝。 LM5101A還提供WSON-8引腳封裝。 特性 驅動高側和低側N溝道MOSFET ...... 獨立高低 - 驅動器邏輯輸入 自舉電源電壓高達118 V DC 快速傳播時間(典型值為25 ns) 驅動1000-pF負載,8- ns上升和下降時間 優秀的傳播延遲匹配(3 ns 典型值) 電源軌欠壓鎖定 低功耗< /li> 引腳與HIP2100 /HIP2101兼容 參數 與其它產品相比?半橋驅動器 ? Number of Ch...

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          LM5100C 1A 高電壓高側和低側閘極驅動器

          TPS2811-Q1 具有內部穩壓器的汽車類反向雙路高速 MOSFET 驅動器

          TPS2811雙通道高速MOSFET驅動器能夠為高容性負載提供2 A的峰值電流。這種性能是通過一種設計實現的,該設計本身可以最大限度地減少直通電流,并且比競爭產品消耗的電源電流低一個數量級。 TPS2811驅動器包括一個穩壓器,允許在14 V和14 V之間的電源輸入工作。 40 V.穩壓器輸出可以為其他電路供電,前提是功耗不超過封裝限制。當不需要穩壓器時,REG_IN和REG_OUT可以保持斷開狀態,或者兩者都可以連接到V CC 或GND。 TPS2811驅動器采用8引腳TSSOP封裝并在-40°C至125°C的環境溫度范圍內工作。 特性 符合汽車應用要求 行業標準驅動程序更換 25-ns Max Rise /下降時間和40-ns Max 傳播延遲,1-nF負載,V CC = 14 V 2-A峰值輸出電流,V CC < /sub> = 14 V 輸入電壓高或低的5μA電源電流 4 V至14 V電源電壓范圍;內部調節器將范圍擴展至40 V -40°C至125°C環境溫度工作范圍 參數 與其它產品相比?低側驅動器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...

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          TPS2811-Q1 具有內部穩壓器的汽車類反向雙路高速 MOSFET 驅動器

          UCC27511 4A/8A 單通道高速低側閘極驅動器

          UCC27511和UCC27512單通道高速低側柵極驅動器件可有效驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)電源開關.UCC27511和UCC27512采用的設計方案可最大程度減少擊穿電流,從而為電容負載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖,同時提供軌到軌驅動能力以及超短的傳播延遲(典型值為13ns)。 UCC27511特有雙輸入設計,同一器件可靈活實現反相(IN-引腳)和非反相(IN +引腳)配置.IN +引腳和IN-引腳均可用于控制驅動器輸出的狀態。未使用的輸入引腳可用于啟用和禁用功能。出于安全考慮,輸入引腳上的內部上拉和下拉電阻器在輸入引腳處于懸空狀態時,確保 UCC27 511器件的輸入引腳閾值基于與TTL和COMS兼容的低電壓邏輯電路,此邏輯電路是固定的且與V DD 電源電壓無關。高低閾值間的寬滯后提供了出色的抗擾度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉電流,8A灌電流(非對稱驅動)峰值驅動電流能力。非對稱驅動中的強勁灌電流能力提升了抗寄生,米勒接通效應的能力.UCC27511器件還具有一個獨特的分離輸出配置,其中的柵極驅動電流通過OUTH引腳拉出,通過OUTL引腳灌入。這種獨特的引腳排列使...

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          UCC27511 4A/8A 單通道高速低側閘極驅動器

          UCC27517 4A/4A 單通道高速低側閘極驅動器

          UCC27516和UCC27517單通道高速低側柵極驅動器器件可有效驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)電源開關.UCC27516和UCC27517采用的設計方案可最大程度減少擊穿電流,從而為電容負載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖,同時提供軌到軌驅動能力以及超短的傳播延遲(當前VDD = 12V時,UCC27516和UCC27517可提供峰值為4A的灌/拉(對稱驅動)電流驅動能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的寬VDD范圍,以及-40°C至140°C的寬溫度范圍.VDD引腳上的內部欠壓閉鎖(UVLO)電路可以超出VDD運行范圍時使輸出保持低電平。此器件能夠在低電壓(例如低于5V)下運行,并且擁有同類產品中較好的開關特性,因此非常適用于驅動諸如GaN功率半導體器件等新上市的寬帶隙電源開關器件。 UCC27516和UCC27517特有雙輸入設計,同一器件可靈活實現反相(IN-引腳)和非反相(IN +引腳)配置.IN +引腳和IN-引腳中的任何一個都可用于控制此驅動器輸出的狀態。未使用的輸入引腳可被用于啟用和禁用功能。出于安全考慮,輸入引腳上的內部上拉和下拉電阻器在輸入引腳處于懸空狀態時,確保...

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          UCC27517 4A/4A 單通道高速低側閘極驅動器

          UCC27200-Q1 汽車類 120V 升壓 3A 峰值電流的高頻高端/低端驅動器

          UCC2720x-Q1系列高頻N溝道MOSFET驅動器包括一個120V自舉二極管和獨立的高側和低側驅動器輸入以實現最大的控制靈活這允許在半橋,全橋,雙開關正向和有源鉗位正激轉換器中進行N溝道MOSFET控制。低側和高側柵極驅動器可獨立控制,并在相互之間的開啟和關斷之間匹配1 ns。 片內自舉二極管消除了外部分立二極管。為高側驅動器和低側驅動器提供欠壓鎖定,如果驅動器電壓低于指定閾值,則強制輸出為低電平。 提供兩種版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪聲免疫CMOS輸入閾值,UCC27201-Q1具有TTL兼容閾值。 兩款器件均采用8引腳SO PowerPAD(DDA)封裝。對于所有可用封裝,請參見數據手冊末尾的可訂購附錄。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1: -40°C至125°C環境工作溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C5 驅動兩個高側和低側配置的N溝道MOSFET 最大啟動電壓:120 V 最大V DD < /sub>電壓:20 V 片內0.65 V VF,0.6ΩRD自舉二極管 大于1 MHz的工作 20- ns傳播延遲時間 3-A漏極,3A源輸出電流 8-ns上升和...

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          UCC27200-Q1 汽車類 120V 升壓 3A 峰值電流的高頻高端/低端驅動器

          UCC27538 柵極驅動器

          UCC2753x單通道高速柵極驅動器可有效地驅動MOSFET和IGBT電源開關.UCC2753x器件采用一種通過不對稱驅動(分離輸出)提供高達2.5A和5A灌電流的設計,同時結合了支持負斷偏置電壓,軌道軌道驅動功能,極小傳播延遲(通常為17ns)的功能,是MOSFET和IGBT電源開關的理想解決方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,雙輸入以及反相和同相輸入功能。隔離輸出與強大的不對稱驅動提高了器件對寄生米勒效應的抗擾性,并有助于減少地的抖動。 輸入引腳保持斷開狀態將使驅動器輸出保持低電平。驅動器的邏輯行為顯示在應用圖,時序圖和輸入與輸出邏輯真值表中。 VDD引腳上的內部電路提供一個欠壓鎖定功能,此功能在VDD電源電壓處于工作范圍內之前使用輸出保持低電平。 特性 低成本柵極驅動器(為FET和IGBT的驅動提供最佳解決方案) 分立式晶體管(1800pF負載時的典型值分別為15ns和7ns) 欠壓鎖定(UVLO) 被用作高側或低側驅動器(如果采用適當的偏)置和信號隔離設計) 低成本,節省空間的5引腳或6引腳DBV(SOT-23)封裝選項 UCC27536和UCC27537與TPS2828和TPS2829之間引腳對引腳兼容 工作溫度范圍:...

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          UCC27538 柵極驅動器

          UCC27517A-Q1 具有 5V 負輸入電壓處理能力的 4A/4A 單通道高速低側柵極驅動器

          UCC27517A-Q1單通道高速低側柵極驅動器件有效地驅動金屬氧化物半導體場效應應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管UCC27517A-Q1能夠灌,拉高峰值電流脈沖進入到電容負載值為13ns)。 UCC27517A-Q1器件在輸入上處理-5V電壓。 當V DD = 12V時,UCC27517A-Q1可提供峰值為4A的灌/拉(對稱驅動)電流驅動能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的寬V DD 范圍以及-40°C至140° C的寬溫度范圍內運行.V DD 引腳上的內部欠壓鎖定(UVLO)電路可在V DD 超出運行范圍時使輸出保持低電平。此器件能夠在低電壓(例如低于5V)下運行,并且擁有同類產品中最佳的開關特性,因此非常適用于驅動諸的GaN功率半導體器件等新上市的寬帶隙電源開關器件。 特性 符合汽車應用要求 具有符合AEC-Q100標準的下列結果: 符合汽車應用要求的器件溫度1級:-40°C至125°C的環境運行溫度范圍 器件人體放電模式(HBM)靜電放電(ESD)分類等級2 器件組件充電模式(CDM)ESD分類等級C6 低成本柵極驅動器件提供NPN和PNP離散解決方案的高品質替代產品 4A峰值拉電流和灌電流對稱驅動 能夠輸入上處理負...

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          UCC27517A-Q1 具有 5V 負輸入電壓處理能力的 4A/4A 單通道高速低側柵極驅動器

          UCC27211 120V 升壓 4A 峰值電流的高頻高側/低側驅動器

          UCC27210和UCC27211驅動器是基于廣受歡迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驅動器,但性能得到了顯著提升。峰值輸出上拉和下拉電流已經被提高至4A拉電流和4A灌電流,并且上拉和下拉電阻已經被減小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效應平臺轉換期間用盡可能小的開關損耗來驅動大功率MOSFET。現在,輸入結構能夠直接處理-10 VDC,這提高了穩健耐用性,并且無需使用整流二極管即可實現與柵極驅動變壓器的直接對接。這些輸入與電源電壓無關,并且具有20V的最大額定值。 UCC2721x的開關節點(HS引腳)最高可處理-18V電壓,從而保護高側通道不受寄生電感和雜散電容所固有的負電壓影響.UCC27210(a CMOS輸入)和UCC27211( TTL輸入)已經增加了滯后特性,從而使得到模擬或數字脈寬調制(PWM)控制器接口的抗擾度得到了增強。 低側和高側柵極驅動器是獨立控制的,并在彼此的接通和關斷之間實現了2ns的延遲匹配。 由于在芯片上集成了一個額定電壓為120V的自舉二極管,因此無需采用外部分立式二極管。高側和低側驅動器均配有欠壓鎖定功能,可提供對稱的導通和關斷行為,并且能夠在驅動電壓低于指定閾值時將輸出強制為低...

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          UCC27211 120V 升壓 4A 峰值電流的高頻高側/低側驅動器

          UCC27710 具有互鎖功能的 620V 0.5A、1.0A 高側低側柵極驅動器

          UCC27710是一款620V高側和低側柵極驅動器,具有0.5A拉電流,1.0A灌電流能力,專用于驅動功率MOSFET或IGBT。 對于IGBT,建議的VDD工作電壓為10V至20V,對于MOSFET,建議的VDD工作電壓為17V。 UCC27710包含保護特性,在此情況下,當輸入保持開路狀態時,或當未滿足最低輸入脈寬規范時,輸出保持低位。互鎖和死區時間功能可防止兩個輸出同時打開。此外,該器件可接受的偏置電源范圍寬幅達10V至20V,并且為VDD和HB偏置電源提供了UVLO保護。 該器件采用TI先進的高壓器件技術,具有強大的驅動器,擁有卓越的噪聲和瞬態抗擾度,包括較大的輸入負電壓容差,高dV /dt容差,開關節點上較寬的負瞬態安全工作區(NTSOA),以及互鎖。 該器件包含一個接地基準通道(LO)和一個懸空通道(HO),后者專用于自電源或隔離式電源操作。該器件具有快速傳播延遲特性并可在兩個通道之間實現卓越的延遲匹配。在UCC27710上,每個通道均由其各自的輸入引腳HI和LI控制。 特性 高側和低側配置 雙輸入,帶輸出互鎖和150ns死區時間 在高達620V的電壓下完全可正常工作,HB引腳上的絕對最高電壓為700V VDD建...

          發表于 10-16 11:19 ? 9次 閱讀
          UCC27710 具有互鎖功能的 620V 0.5A、1.0A 高側低側柵極驅動器

          UCC27533 柵極驅動器

          UCC2753x單通道高速柵極驅動器可有效地驅動MOSFET和IGBT電源開關.UCC2753x器件采用一種通過不對稱驅動(分離輸出)提供高達2.5A和5A灌電流的設計,同時結合了支持負斷偏置電壓,軌道軌道驅動功能,極小傳播延遲(通常為17ns)的功能,是MOSFET和IGBT電源開關的理想解決方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,雙輸入以及反相和同相輸入功能。隔離輸出與強大的不對稱驅動提高了器件對寄生米勒效應的抗擾性,并有助于減少地的抖動。 輸入引腳保持斷開狀態將使驅動器輸出保持低電平。驅動器的邏輯行為顯示在應用圖,時序圖和輸入與輸出邏輯真值表中。 VDD引腳上的內部電路提供一個欠壓鎖定功能,此功能在VDD電源電壓處于工作范圍內之前使用輸出保持低電平。 特性 低成本柵極驅動器(為FET和IGBT的驅動提供最佳解決方案) 分立式晶體管(1800pF負載時的典型值分別為15ns和7ns) 欠壓鎖定(UVLO) 被用作高側或低側驅動器(如果采用適當的偏)置和信號隔離設計) 低成本,節省空間的5引腳或6引腳DBV(SOT-23)封裝選項 UCC27536和UCC27537與TPS2828和TPS2829之間引腳對引腳兼容 工作溫度范圍:...

          發表于 10-16 11:19 ? 6次 閱讀
          UCC27533 柵極驅動器

          UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 單門驅動器

          UCC2753x單通道高速柵極驅動器可有效地驅動MOSFET和IGBT電源開關.UCC2753x器件采用一種通過不對稱驅動(分離輸出)提供高達2.5A和5A灌電流的設計,同時結合了支持負斷偏置電壓,軌道軌道驅動功能,極小傳播延遲(通常為17ns)的功能,是MOSFET和IGBT電源開關的理想解決方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,雙輸入以及反相和同相輸入功能。隔離輸出與強大的不對稱驅動提高了器件對寄生米勒效應的抗擾性,并有助于減少地的抖動。 輸入引腳保持斷開狀態將使驅動器輸出保持低電平。驅動器的邏輯行為顯示在應用圖,時序圖和輸入與輸出邏輯真值表中。 VDD引腳上的內部電路提供一個欠壓鎖定功能,此功能在VDD電源電壓處于工作范圍內之前使用輸出保持低電平。 特性 低成本柵極驅動器(為FET和IGBT的驅動提供最佳解決方案) 分立式晶體管(1800pF負載時的典型值分別為15ns和7ns) 欠壓鎖定(UVLO) 被用作高側或低側驅動器(如果采用適當的偏)置和信號隔離設計) 低成本,節省空間的5引腳或6引腳DBV(SOT-23)封裝選項 UCC27536和UCC27537與TPS2828和TPS2829之間引腳對引腳兼容 工作溫度范圍:...

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          UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 單門驅動器

          TPS51604 用于高頻 CPU 內核功率應用的同步降壓·FET 驅動器

          TPS51604驅動器針對高頻CPU V CORE 應用進行了優化。具有降低死區時間驅動和自動零交越等 SKIP 引腳提供CCM操作選項,以支持輸出電壓的受控制理。此外,TPS51604支持兩種低功耗模式。借助于脈寬調制(PWM)輸入三態,靜態電流被減少至130μA,并支持立即響應。當 SKIP 被保持在三態時,電流被減少至8μA(恢復切換通常需要20μs)。此驅動器與合適的德州儀器(TI)控制器配對使用,能夠成為出色的高性能電源系統。 TPS51604器件采用節省空間的耐熱增強型8引腳2mm x 2mm WSON封裝,工作溫度范圍為-40°C至105°C。 特性 針對已優化連續傳導模式(CCM)的精簡死區時間驅動電路 針對已優化斷續傳導模式(DCM)效率的自動零交叉檢測 針對已優化輕負載效率的多個低功耗模式 為了實現高效運行的經優化信號路徑延遲 針對超級本(超極本)FET的集成BST開關驅動強度 針對5V FET驅動而進行了優化 轉換輸入電壓范圍(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引腳WSON散熱墊封裝 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?半橋驅動器 ? Number of Channels (#) ...

          發表于 10-16 11:19 ? 6次 閱讀
          TPS51604 用于高頻 CPU 內核功率應用的同步降壓·FET 驅動器

          電源管理中的熱管理解決方案分析

          在討論熱管理和使用諸如“散熱”或“排熱”等短語時總要牢記在心的一個問題是:熱量要散發到哪里? 憤世嫉....

          的頭像 電子設計 發表于 10-15 08:16 ? 455次 閱讀
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          LPC11E00系列微控制器詳細程序實例資料免費下載

          本文檔的主要內容詳細介紹的是LPC11E00系列微控制器詳細程序實例資料免費下載。

          發表于 10-15 08:00 ? 43次 閱讀
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          蘋果拋棄Imagination后,A系列芯片的GPU已經完成自研

          蘋果將以3億美元現金收購Dialog Semiconductor(一家總部位于歐洲的芯片制造商)公司....

          的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 10-12 14:10 ? 644次 閱讀
          蘋果拋棄Imagination后,A系列芯片的GPU已經完成自研

          描述符是什么?如何在簡單程序中傳輸數據

          在第3節視頻中,分別介紹8種外設管理單元(PMU)指令 — 也稱為描述符,以及了解在簡單程序中....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-12 03:16 ? 118次 觀看
          描述符是什么?如何在簡單程序中傳輸數據

          低功耗處理器與MAX23625、MAX32630的性能介紹

          本期視頻主要介紹了:1. Maxim在處理器的經驗,2.在可穿戴應用中可能遇到的問題,3.MA....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-12 03:07 ? 175次 觀看
          低功耗處理器與MAX23625、MAX32630的性能介紹

          蘋果6億美元買通Dialog電源IC技術

          Dialog公司對外宣布,已經與蘋果達成深入合作。蘋果將以6億美元的代價,買通了Dialog公司的電....

          發表于 10-11 16:18 ? 231次 閱讀
          蘋果6億美元買通Dialog電源IC技術

          如何通過MAX32625MBED進行編譯和下載程序

          本視頻中,Venkatesh介紹MAX32625MBED開發平臺,及其與Mbed?在線開發環境的配合....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-11 10:30 ? 217次 觀看
          如何通過MAX32625MBED進行編譯和下載程序

          在Eclipse工具中如何設置MAX32630/31評估板

          Venkatesh演示如何設置MAX32630和MAX32631超低功耗、Arm Cortex-M4....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-11 04:16 ? 151次 觀看
          在Eclipse工具中如何設置MAX32630/31評估板

          如何通過DS28E17和微控制器檢測100米距離的運動

          本視頻中,Travis演示如何使用DS28E17 1-Wire?至I2C橋接器件和微控制器(M....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-11 03:40 ? 150次 觀看
          如何通過DS28E17和微控制器檢測100米距離的運動

          在MAX32650評估板的LCD面板上如何繪制圖形

          在系列視頻的第三部分,學習如何尋址屏幕存儲器,在MAX32650評估板的LCD面板上繪制簡單圖形。在....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-11 03:34 ? 161次 觀看
          在MAX32650評估板的LCD面板上如何繪制圖形

          如何用MAX32630配置微控制器進行深度睡眠

          In this video, Mohamed discusses some of the low-p....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-10 13:44 ? 131次 觀看
          如何用MAX32630配置微控制器進行深度睡眠

          PIC16F1946和PIC16F1947微控制器與LCD驅動器數據手冊免費下載

          PIC16F1946和PIC16F1947是64針閃存,8位CMOS微控制器與LCD驅動器和納瓦特X....

          發表于 10-10 08:00 ? 33次 閱讀
          PIC16F1946和PIC16F1947微控制器與LCD驅動器數據手冊免費下載

          如何利用Arduino IDE建立MAX7360與微控制器的連接及開發平臺監測按鍵

          Venkatesh展示如何利用Arduino? IDE建立MAX7360與微控制器的連接。了解Ven....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-10 04:04 ? 123次 觀看
          如何利用Arduino IDE建立MAX7360與微控制器的連接及開發平臺監測按鍵

          如何利用MAX32620FTHR平臺快速啟動和實施新項目

          了解如何利用微小尺寸MAX32620FTHR快速開發平臺快速啟動和實施新項目。低功耗Arm? Cor....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-10 03:13 ? 208次 觀看
          如何利用MAX32620FTHR平臺快速啟動和實施新項目

          什么是外設管理單元?有何特點

          本系列視頻總共分為5部分。在第1部分視頻中,介紹Maxim獨有的外設管理單元(即PMU),及其如何減....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-10 03:00 ? 232次 觀看
          什么是外設管理單元?有何特點

          如何利用MAX32620FTHR開發平臺執行程序

          了解如何利用MAX32620FTHR開發平臺執行Eclipse編程環境下的程序。在下節視頻“MAX3....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-09 05:40 ? 162次 觀看
          如何利用MAX32620FTHR開發平臺執行程序

          使用MAX32630FTHR如何設置超低功耗實時時鐘

          本視頻中,Mohamed搭建了一個超低功耗計時電路,將實時時鐘(RTC)外設與MAX32630FTH....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-09 04:30 ? 160次 觀看
          使用MAX32630FTHR如何設置超低功耗實時時鐘

          如何控制MAX32620FTHR中的MAX77650 PMIC

          本視頻中,我們將了解如何控制MAX32620FTHR開發平臺上的MAX77650 PMIC。在下節視....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-09 04:16 ? 148次 觀看
          如何控制MAX32620FTHR中的MAX77650 PMIC

          具有MAX32625MBED功能的Rowley CrossStudio開發環境介紹

          Get up to speed quickly using the Rowley CrossStud....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-09 03:17 ? 222次 觀看
          具有MAX32625MBED功能的Rowley CrossStudio開發環境介紹

          如何使用MAX32630FTHR電路板構建新項目與執行程序

          了解通過配置MAX32630FTHR電路板來構建新項目是多么簡單。學習如何導入項目、編譯程序、下載代....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-09 03:03 ? 163次 觀看
          如何使用MAX32630FTHR電路板構建新項目與執行程序

          STM32F0系列微控制器安全手冊的詳細資料免費下載

           本文件描述如何在安全相關系統的上下文中使用STM32F0系列的微控制器,指定用戶在安裝和操作方面的....

          發表于 10-08 08:00 ? 44次 閱讀
          STM32F0系列微控制器安全手冊的詳細資料免費下載

          第一部分:MAX32630微控制器的設置

          在本視頻短片中,Mohamed介紹利用實時時鐘(RTC)電路計時的不同方法。Mohamed演示在智能....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-08 03:19 ? 279次 觀看
          第一部分:MAX32630微控制器的設置

          如何利用Arduino IDEj進行MAX32625MBED開發平臺的設置

          本視頻中,Venkatesh演示在Arduino?開發環境下如何設置MAX32625MBED開發平臺....

          的頭像 Maxim視頻 發表于 10-08 03:11 ? 194次 觀看
          如何利用Arduino IDEj進行MAX32625MBED開發平臺的設置

          電子自動化產業的發展,促進了智能傳感器技術日趨活躍

          電子自動化產業的迅速發展與進步促使傳感器技術、特別是集成智能傳感器技術日趨活躍發展,隨著半導體技術的....

          發表于 10-01 09:00 ? 71次 閱讀
          電子自動化產業的發展,促進了智能傳感器技術日趨活躍

          一款200mA超低靜態電流壓降(LDO)穩壓器

          正如STEVAL-LDO001V1評估板所示,不同的LDO系列具有不同的優勢,而物聯網設備傾向于選擇....

          的頭像 意法半導體IPG 發表于 09-30 15:21 ? 545次 閱讀
          一款200mA超低靜態電流壓降(LDO)穩壓器

          STM32F1xx系列微控制器數據手冊免費下載

          本文檔的主要內容詳細介紹的是STM32F1xx系列微控制器數據手冊免費下載包括了:STM32F10x....

          發表于 09-29 08:00 ? 59次 閱讀
          STM32F1xx系列微控制器數據手冊免費下載

          STM32F1微控制器STM32Cube固件包的使用手冊好程序免費下載

          STM32CubeF1在一個包中收集了在STM32F1微控制器上開發應用程序所需的所有通用嵌入式軟件....

          發表于 09-28 15:30 ? 59次 閱讀
          STM32F1微控制器STM32Cube固件包的使用手冊好程序免費下載

          MM32F103 NFC微控制器的詳細產品手冊資料免費下載

           MM32F103使用高性能的ARM? Cortex?-M3 32位的RISC內核,最高工作頻率為9....

          發表于 09-28 08:00 ? 61次 閱讀
          MM32F103 NFC微控制器的詳細產品手冊資料免費下載

          SPI控制開關的解決方案與在提高通道密度有什么優勢

          測試設備中的通道數最大化至關重要,因為通道越多,可以并行測試的器件就越多,進而壓縮最終客戶的測試時間....

          的頭像 電子設計 發表于 09-27 08:11 ? 326次 閱讀
          SPI控制開關的解決方案與在提高通道密度有什么優勢

          電源管理芯片的未來發展趨勢如何

          據市調機構iSuppli預計,2016年電源管理IC市場預計將達到387億美元,消費電子、網絡通信、....

          的頭像 電子設計 發表于 09-27 08:10 ? 544次 閱讀
          電源管理芯片的未來發展趨勢如何

          瑞薩電子推出了RX65N/RX651系列MCU

          瑞薩電子還獨有一項更強大的安全技術——Trusted Secure IP(TSIP),可以在安全環境....

          的頭像 瑞薩電子 發表于 09-25 15:02 ? 625次 閱讀
          瑞薩電子推出了RX65N/RX651系列MCU

          碳化硅在電子產品中的應用(2)

          功率電子是基礎產業;所有電力設備都將使用某種形式的電源管理器件。因此,功率器件的進步也推動了大量應用....

          的頭像 電子設計 發表于 09-25 10:36 ? 748次 閱讀
          碳化硅在電子產品中的應用(2)

          超省電型應用設備中的電源管理設計

          當考慮到需要某種形式無線連接的電池供電型設備時,無論在簡單的點對點無線網絡配置,或是更復雜的星型或網....

          的頭像 電子設計 發表于 09-25 09:38 ? 511次 閱讀
          超省電型應用設備中的電源管理設計

          HT48R005和HT46R005高性能RISC結構微控制器的詳細數據手冊免費下載

          HT46R005和HT48R005是一系列8位高性能RISC結構微控制器,專門為廣泛的應用而設計。通....

          發表于 09-25 08:00 ? 51次 閱讀
          HT48R005和HT46R005高性能RISC結構微控制器的詳細數據手冊免費下載

          保證產品快速上市的5個加速韌體開發技巧

          本文提供了5項加速韌體(firmware)開發的秘訣,盡管它們是顯而易見的方式,但在實作時卻很少被真....

          的頭像 電子設計 發表于 09-21 09:38 ? 392次 閱讀
          保證產品快速上市的5個加速韌體開發技巧

          CMSIS-NN內核的神經網絡提升微控制器的性能

          對于某些內核(例如全連接和卷積),會使用到不同版本的內核函數。 我們提供了一個基本的版本,可以為任何....

          的頭像 電子設計 發表于 09-21 07:31 ? 560次 閱讀
          CMSIS-NN內核的神經網絡提升微控制器的性能

          STM8S微控制器系列的各部件的詳細資料免費下載

          本參考手冊為應用開發人員提供了關于如何使用STM8S微控制器的存儲器和外設的完整信息。STM8S是一....

          發表于 09-20 14:14 ? 72次 閱讀
          STM8S微控制器系列的各部件的詳細資料免費下載

          物聯網技術中的電源管理介紹

          從人體生物特征識別到機器振動曲線,了解我們的技術如何測量以前無法測量的東西。了解這些解決方案如何為您....

          發表于 09-20 08:33 ? 348次 閱讀
          物聯網技術中的電源管理介紹

          ATTINY13 20SSI在系統可編程閃存中的8位微控制器的數據手冊免費下載

          AVR內核結合了豐富的指令集和32個通用工作寄存器。所有32個寄存器都直接連接到算術邏輯單元(ALU....

          發表于 09-19 08:00 ? 50次 閱讀
          ATTINY13 20SSI在系統可編程閃存中的8位微控制器的數據手冊免費下載

          MPC5604B和MPC5604C微控制器的詳細數據手冊和資料免費下載

          MPC5604B和MPC5604C是一個建立在電源架構嵌入式范疇的下一代微控制器系列。本文件描述了家....

          發表于 09-17 14:44 ? 62次 閱讀
          MPC5604B和MPC5604C微控制器的詳細數據手冊和資料免費下載
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